Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW

2.699,00 kr.

  • krypteret
  • 4 TB
  • intern
  • M.2 2280
  • PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • 256-bit AES
  • TCG Opal Encryption

Samsung 990 PRO solid state-drevet kombinerer lagring med høj kapacitet, hurtige dataoverførselshastigheder og avancerede sikkerhedsfunktioner i en pålidelig og effektiv lagringsløsning. Med en kapacitet på 4 TB giver den rigelig plads til store digitale biblioteker, mens PCI Express 4.0 x4 (NVMe) -grænsefladen sikrer hurtig dataadgang og overførselshastigheder på op til 7450 MBps læsning og 6900 MBps skrivning. Avanceret sikkerhed leveres gennem 256-bit AES-hardwarekryptering, der beskytter følsomme data mod uautoriseret adgang. Derudover sikrer funktioner som Dynamic Thermal Guard-beskyttelse og tilstande med lavt strømforbrug, at drevet fungerer effektivt og sikkert, hvilket gør det til et ideelt valg til krævende applikationer og multitasking-miljøer.

2 på lager

Varenummer (SKU): MZ-V9P4T0BW Kategori:

Beskrivelse

Produktbeskrivelse Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW – SSD – 4 TB – PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type Solid state-drev – intern
Kapacitet 4 TB
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type Fler-niveaus celle (MLC)
Model M.2 2280
Grænseflade PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vægt 9 g

Yderligere information

Vægt 0,1 kg

Udv. Specifikationer

Generelt
Bredde 22 mm
Dybde 80 mm
Egenskaber TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Enhedstype Solid state-drev – intern
Grænseflade PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Hardware kryptering Ja
Højde 2.3 mm
Kapacitet 4 TB
Krypterings algoritme 256-bit AES
Model M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type Fler-niveaus celle (MLC)
Vægt 9 g
Præstation
Intern datahastighed 7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning 1600000 IOPS
Maximum 4KB Random Write 1550000 IOPS
Driftssikkerhed
MTBF (forventet tid mellem fejl) 1,500,000 timer
Ekspansion og forbindelse
Interface PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel bås M.2 2280
Effekt
Strømforbrug 5.5 Watt (gennemsnitlig) | 55 mW (ledig)
Programmer & Systemkrav
Med software Samsung Magician Software
Diverse
Overensstemmelsesstandarder IEEE 1667
Miljømæssige parametre
Maks. driftstemperatur 70 °C
Min. driftstemperatur 0 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) 1500 g
Modstandsdygtighed over for stød (operativ) 0,5 ms halv-sinus